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磷化銦(InP)晶體基片
產品概述:
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技術參數(shù)

單晶

InP

摻雜

None;Sn;S;Fe:Zn

硬度

3.0莫氏硬度

密度

4.78 g/cm3

導電類型

N;N;N;Si;P

折射率:

3.45

載流子濃度cm-

1-2x1016 、1-3x1018 、1-4x1018、6-4x1018

位錯密度cm-2 

<5x104

生長方法:

LEC

溫度:

1072℃

彈性模量

7.1E11dyn  Cm-2


常規(guī)尺寸

常規(guī)晶向:

常規(guī)尺寸:10x10x0.5mm、dia2"x0.5mm;

拋光情況:單拋或雙拋

表面粗糙度Ra:<15A

注:可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。

備注

1000級超凈室100級超凈袋

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